MT53E384M32D2DS-046 vs MT53E384M32D2DS-053 WT:E 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT53E384M32D2DS-046 제조: Micron Technology 및 MT53E384M32D2DS-053 WT:E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT53E384M32D2DS-046 MT53E384M32D2DS-046 - 12Gb LPDDR4 SDRAM 2.133GHz | Micron

MT53E384M32D2DS-046 - 12Gb LPDDR4 SDRAM 2.133GHz | Micron

MT53E384M32D2DS-046 ✓ 활성
Micron Technology
MT53E384M32D2DS-053 WT:E MT53E384M32D2DS-053 WT:E - 12Gbit LPDDR4 SDRAM | Micron

MT53E384M32D2DS-053 WT:E - 12Gbit LPDDR4 SDRAM | Micron

MT53E384M32D2DS-053 WT:E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT53E384M32D2DS-046 MT53E384M32D2DS-053 WT:E
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $13.40 $11.30
메모리 유형 LPDDR4 SDRAM (Mobile DRAM) Mobile LPDDR4 SDRAM
Memory Organization 384M x 32 —
Density 12 Gbit —
Clock Frequency 2.133 GHz —
Speed Grade -046 (4266 MT/s class) -053
공급 전압 1.1 V —
패키지 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) 200-WFBGA (10 x 14.5 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Die Configuration DDP (Double Die Package) —
Qualification AEC-Q100, automotive grade (AUT suffix) —
Die Revision :E —
Access Type Parallel —
Memory Category Volatile DRAM —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -25C to +85C
데이터 속도 [DATA_NEEDED: exact MT/s data rate] 1866 Mbps (1.866 GHz)
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (E package suffix)
메모리 크기 — 12 Gbit
메모리 구성 — 384M x 32
Die Architecture — DDP (Double Die Package)
Supply Voltage Class — 1.1V (VDD2/VDDQ), LPDDR4 low-voltage I/O
인터페이스 — LPDDR4 (JEDEC mobile DRAM interface)
Temperature Grade Suffix — WT (commercial/industrial), E (lead-free RoHS package code)
Memory IC Category — SDRAM - Mobile LPDDR4
Core Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VDD1 core voltage exact value]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh interval 32ms/64ms confirmation]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: tape and reel quantity]

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청